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NTD4860NA-1G

NTD4860NA-1G

Nur als Referenz

Teilenummer NTD4860NA-1G
PNEDA Teilenummer NTD4860NA-1G
Beschreibung MOSFET N-CH 25V 65A IPAK
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 3.924
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 21 - Mai 26 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

NTD4860NA-1G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNTD4860NA-1G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
NTD4860NA-1G, NTD4860NA-1G Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 140,58 KB)
PDFNTD4860NA-35G Datenblatt Cover
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NTD4860NA-1G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)25V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.10.4A (Ta), 65A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs21.8nC @ 10V
Vgs (Max)-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1308pF @ 12V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)1.28W (Ta), 50W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketI-PAK
Paket / FallTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

49mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

6.5V @ 8mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

255nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

13800pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1560W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PLUS264™

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

BSZ110N06NS3GATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 23µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2700pF @ 30V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.1W (Ta), 50W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-TSDSON-8

Paket / Fall

8-PowerVDFN

JAN2N6768T1

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/543

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

400V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

14A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

400mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

4W (Ta), 150W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-254AA

Paket / Fall

TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)

FDMC7692

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

13.3A (Ta), 16A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.5mOhm @ 13.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1680pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.3W (Ta), 29W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-MLP (3.3x3.3)

Paket / Fall

8-PowerWDFN

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

TrenchPLUS

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

75A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

51nC @ 5V

Vgs (Max)

±15V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4667pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

194W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK-7

Paket / Fall

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

Kürzlich verkauft

CY7C68013A-100AXC

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Cypress Semiconductor

IC MCU USB PERIPH HI SPD 100LQFP

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Micron Technology Inc.

IC FLASH 32G MMC 153VFBGA

CY62126EV30LL-45ZSXI

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Cypress Semiconductor

IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

LC4256V-75T176C

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Lattice Semiconductor Corporation

IC CPLD 256MC 7.5NS 176TQFP

FQA140N10

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ON Semiconductor

MOSFET N-CH 100V 140A TO-3P

74HC14DR2G

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ON Semiconductor

IC INVERTER SCHMITT 6CH 14SOIC

M93C46-WBN6

M93C46-WBN6

STMicroelectronics

IC EEPROM 1K SPI 2MHZ 8DIP

A6H-8101

A6H-8101

Omron Electronics Inc-EMC Div

SWITCH SLIDE DIP SPST 25MA 24V

MCP42050-E/SL

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Microchip Technology

IC DGTL POT 50KOHM 256TAP 14SOIC

SD103AW-E3-08

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Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 40V SOD123

MMBT2222

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TRANS NPN 30V 0.6A SOT-23

MAX1037EKA+T

MAX1037EKA+T

Maxim Integrated

IC ADC 8BIT SAR SOT23-8