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NTD4865NT4G

NTD4865NT4G

Nur als Referenz

Teilenummer NTD4865NT4G
PNEDA Teilenummer NTD4865NT4G
Beschreibung MOSFET N-CH 25V 8.5A DPAK
Hersteller ON Semiconductor
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NTD4865NT4G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNTD4865NT4G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
NTD4865NT4G, NTD4865NT4G Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 308,8 KB)
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NTD4865NT4G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)25V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.8.5A (Ta), 44A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs10.9mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10.8nC @ 4.5V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds827pF @ 12V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)1.27W (Ta), 33.3W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketDPAK
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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RND030N20TL

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

870mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5.2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.7nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

270pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

850mW (Ta), 20W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

CPT3

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IXFL44N80

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

44A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

165mOhm @ 22A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 8mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

380nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

10000pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

550W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS264™

Paket / Fall

ISOPLUS264™

IRF1010EPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

84A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

130nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3210pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

200W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

2N7002Q-7-F

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

170mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.233nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

370mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-23

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

SFH9250L

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

19.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

230mOhm @ 9.8A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

120nC @ 5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3250pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

204W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-3P

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Kürzlich verkauft

S25FL208K0RMFI041

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IC MULTIPLEXER 1X16 32LFCSP

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Analog Devices

IC ADC 14BIT SAR 10MSOP

STM6601CM2DDM6F

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STMicroelectronics

IC SUPERVISOR 3.1V 12TDFN

SMAJ5.0A

SMAJ5.0A

TVS DIODE 5V 9.2V SMA

CM1624-08DE

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ON Semiconductor

FILTER RLC 40 OHM/12PF/20NH SMD

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Cirrus Logic Inc.

IC CODEC STER 49WCSP

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II

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ON Semiconductor

IC GATE OR 4CH 2-INP 14SOIC

CMSH1-40 TR13

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Central Semiconductor Corp

DIODE SCHOTTKY 40V 1A SMB

LTC2802IDE#TRPBF

LTC2802IDE#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC TRANSCEIVER HALF 1/1 12DFN

ST10F276Z5T3

ST10F276Z5T3

STMicroelectronics

IC MCU 16BIT 832KB FLASH 144LQFP