Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

NTD50N03R-035

NTD50N03R-035

Nur als Referenz

Teilenummer NTD50N03R-035
PNEDA Teilenummer NTD50N03R-035
Beschreibung MOSFET N-CH 25V 7.8A IPAK
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 8.802
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 25 - Mai 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

NTD50N03R-035 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNTD50N03R-035
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
NTD50N03R-035, NTD50N03R-035 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 79,25 KB)
PDFNTD50N03RT4G Datenblatt Cover
NTD50N03RT4G Datenblatt Seite 2 NTD50N03RT4G Datenblatt Seite 3 NTD50N03RT4G Datenblatt Seite 4 NTD50N03RT4G Datenblatt Seite 5 NTD50N03RT4G Datenblatt Seite 6 NTD50N03RT4G Datenblatt Seite 7 NTD50N03RT4G Datenblatt Seite 8

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • NTD50N03R-035 Datasheet
  • where to find NTD50N03R-035
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor NTD50N03R-035
  • NTD50N03R-035 PDF Datasheet
  • NTD50N03R-035 Stock

  • NTD50N03R-035 Pinout
  • Datasheet NTD50N03R-035
  • NTD50N03R-035 Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • NTD50N03R-035 Price
  • NTD50N03R-035 Distributor

NTD50N03R-035 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)25V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.7.8A (Ta), 45A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 11.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs12mOhm @ 30A, 11.5V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15nC @ 11.5V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds750pF @ 12V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)1.5W (Ta), 50W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketI-PAK
Paket / FallTO-251-3 Stub Leads, IPak

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IRL3715S

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

54A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14mOhm @ 26A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1060pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.8W (Ta), 71W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

ZVN4424ASTOA

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

240V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

260mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.8V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±40V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

200pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

750mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

E-Line (TO-92 compatible)

Paket / Fall

E-Line-3

SIR668ADP-T1-RE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET® Gen IV

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

93.6A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

7.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

81nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3750pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

104W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SO-8

Paket / Fall

PowerPAK® SO-8

IRFR3711ZTRLPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

93A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.7mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.45V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2160pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

79W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D-Pak

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

AON6206

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A (Ta), 24A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23.5nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1670pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

4.2W (Ta), 31W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-DFN (5x6)

Paket / Fall

8-PowerSMD, Flat Leads

Kürzlich verkauft

MMSZ4V7T1G

MMSZ4V7T1G

ON Semiconductor

DIODE ZENER 4.7V 500MW SOD123

PCF8575TS/1,112

PCF8575TS/1,112

NXP

IC I/O EXPANDER I2C 16B 24SSOP

1N4148WS-7-F

1N4148WS-7-F

Diodes Incorporated

DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD323

M74VHC1G125DFT2G

M74VHC1G125DFT2G

ON Semiconductor

IC BUFFER NON-INVERT 5.5V SC88A

NC7WZ07P6X

NC7WZ07P6X

ON Semiconductor

IC BUF NON-INVERT 5.5V SC70-6

1-1825027-7

1-1825027-7

TE Connectivity ALCOSWITCH Switches

SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 24V

219-2MSTR

219-2MSTR

CTS Electrocomponents

SWITCH SLIDE DIP SPST 100MA 20V

MBRA210LT3G

MBRA210LT3G

ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 10V 2A SMA

MAX1044ESA+

MAX1044ESA+

Maxim Integrated

IC REG CHARG PUMP INV 20MA 8SOIC

DS9503P+

DS9503P+

Maxim Integrated

TVS DIODE 7.5V 6TSOC

MC9S12HZ256VAL

MC9S12HZ256VAL

NXP

IC MCU 16BIT 256KB FLASH 112LQFP

ADM232AARN

ADM232AARN

Analog Devices

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16SOIC