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NTHD4401PT1G

NTHD4401PT1G

Nur als Referenz

Teilenummer NTHD4401PT1G
PNEDA Teilenummer NTHD4401PT1G
Beschreibung MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 3.726
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NTHD4401PT1G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNTHD4401PT1G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
NTHD4401PT1G, NTHD4401PT1G Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 74,79 KB)
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NTHD4401PT1G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-Typ2 P-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.2.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs155mOhm @ 2.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds300pF @ 10V
Leistung - max1.1W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SMD, Flat Lead
LieferantengerätepaketChipFET™

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Vishay Siliconix

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FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

850mA (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

300mOhm @ 400mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.2nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

60pF @ 10V

Leistung - max

1.5W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

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Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 3.1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

455pF @ 10V

Leistung - max

3.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

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Hersteller

Advanced Linear Devices Inc.

Serie

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FET-Typ

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FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

10.6V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12mA, 3mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500Ohm @ 5.4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.42V @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2.5pF @ 5V

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-SOIC

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Hersteller

Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

30A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.7mOhm @ 25A, 8V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.9V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.2nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1150pF @ 15V

Leistung - max

8W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

5-LGA

Lieferantengerätepaket

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Diodes Incorporated

Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

34mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

453pF @ 20V

Leistung - max

1.8W

Betriebstemperatur

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