NTJD1155LT1
Nur als Referenz
| Teilenummer | NTJD1155LT1 |
| PNEDA Teilenummer | NTJD1155LT1 |
| Beschreibung | MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.994 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 7 - Jun 12 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NTJD1155LT1 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NTJD1155LT1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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NTJD1155LT1 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | N and P-Channel |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 1.3A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 175mOhm @ 1.2A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Leistung - max | 400mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Lieferantengerätepaket | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 66A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.7mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 73nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5330pF @ 40V Leistung - max 39W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerWDFN Lieferantengerätepaket 8-Power 5x6 |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 45V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1A Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 1.25W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket TSMT6 (SC-95) |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET-Funktion Logic Level Gate, 2.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 23A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.7mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 75nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 2.5W (Ta) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-XFBGA, WLCSP Lieferantengerätepaket 6-WLCSP (1.77x3.05) |
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