NTJD4105CT2G
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| Teilenummer | NTJD4105CT2G |
| PNEDA Teilenummer | NTJD4105CT2G |
| Beschreibung | MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 21.918 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 21 - Mai 26 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NTJD4105CT2G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NTJD4105CT2G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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NTJD4105CT2G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | N and P-Channel |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V, 8V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 630mA, 775mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 375mOhm @ 630mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 46pF @ 20V |
| Leistung - max | 270mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Lieferantengerätepaket | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie * FET-Typ - FET-Funktion - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Infineon Technologies Serie SIPMOS® FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3A, 2A Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 20µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15.5nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 340pF @ 25V Leistung - max 2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket P-DSO-8 |
Hersteller ON Semiconductor Serie PowerTrench® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 460pF @ 15V Leistung - max 900mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 48mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 780pF @ 15V Leistung - max 2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate, 1.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 630mOhm @ 200mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.23nC @ 4V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 46pF @ 10V Leistung - max 500mW (Ta) Betriebstemperatur 150°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket UF6 |
