NTJS3151PT1G
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| Teilenummer | NTJS3151PT1G |
| PNEDA Teilenummer | NTJS3151PT1G |
| Beschreibung | MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 584.076 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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NTJS3151PT1G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NTJS3151PT1G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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NTJS3151PT1G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 2.7A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 3.3A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.6nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 850pF @ 12V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 625mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Paket / Fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.8V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2700pF @ 50V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta), 83W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PG-TDSON-8-7 Paket / Fall 8-PowerTDFN |
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