Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

NTK3043NAT5G

NTK3043NAT5G

Nur als Referenz

Teilenummer NTK3043NAT5G
PNEDA Teilenummer NTK3043NAT5G
Beschreibung MOSFET N-CH 20V 210MA SOT-723
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 8.388
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 5 - Mai 10 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

NTK3043NAT5G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNTK3043NAT5G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
NTK3043NAT5G, NTK3043NAT5G Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 128 KB)
PDFNTK3043NAT5G Datenblatt Cover
NTK3043NAT5G Datenblatt Seite 2 NTK3043NAT5G Datenblatt Seite 3 NTK3043NAT5G Datenblatt Seite 4 NTK3043NAT5G Datenblatt Seite 5

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • NTK3043NAT5G Datasheet
  • where to find NTK3043NAT5G
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor NTK3043NAT5G
  • NTK3043NAT5G PDF Datasheet
  • NTK3043NAT5G Stock

  • NTK3043NAT5G Pinout
  • Datasheet NTK3043NAT5G
  • NTK3043NAT5G Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • NTK3043NAT5G Price
  • NTK3043NAT5G Distributor

NTK3043NAT5G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.210mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)1.65V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.4Ohm @ 10mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (Max)±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds11pF @ 10V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)310mW (Ta)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketSOT-723
Paket / FallSOT-723

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

STW20N65M5

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™ V

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

18A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

190mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1345pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

130W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247

Paket / Fall

TO-247-3

SI1013CX-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

450mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

760mOhm @ 400mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.5nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

45pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

190mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SC-89-3

Paket / Fall

SC-89, SOT-490

STD8N80K5

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

SuperMESH5™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

950mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16.5nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

450pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

110W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DPAK

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Hersteller

IXYS

Serie

GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

175V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

150A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12mOhm @ 75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

233nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

14600pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

880W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXFH)

Paket / Fall

TO-247-3

IRFR9110TRLPBF

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.1A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 1.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.7nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

200pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta), 25W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D-Pak

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Kürzlich verkauft

HCPL-181-060E

HCPL-181-060E

Broadcom

OPTOISO 3.75KV TRANS 4MINIFLAT

L7924CV

L7924CV

STMicroelectronics

IC REG LINEAR -24V 1.5A TO220AB

PM-T44

PM-T44

Panasonic Industrial Automation Sales

SENSOR OPT SLOT NPN MODULE

MP24833GN-Z

MP24833GN-Z

Monolithic Power Systems Inc.

IC LED DRIVER

L7905CV-DG

L7905CV-DG

STMicroelectronics

IC REG LINEAR -5V 1.5A TO220

XC3S200AN-4FTG256C

XC3S200AN-4FTG256C

Xilinx

IC FPGA 195 I/O 256FTBGA

MAX3491ESD+T

MAX3491ESD+T

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 1/1 14SOIC

ADM2483BRWZ

ADM2483BRWZ

Analog Devices

DGTL ISO RS422/RS485 16SOIC

LTST-C150TBKT

LTST-C150TBKT

Lite-On Inc.

LED BLUE CLEAR 1206 SMD

74HC259D

74HC259D

Toshiba Semiconductor and Storage

IC 8BIT ADDRESSABLE LATCH 16SOIC

FMMT625TA

FMMT625TA

Diodes Incorporated

TRANS NPN 150V 1A SOT23-3

S29AL016J70TFI020

S29AL016J70TFI020

Cypress Semiconductor

IC FLASH 16M PARALLEL 48TSOP