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NTLUS4C12NTBG

NTLUS4C12NTBG

Nur als Referenz

Teilenummer NTLUS4C12NTBG
PNEDA Teilenummer NTLUS4C12NTBG
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 10.7A UDFN6
Hersteller ON Semiconductor
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NTLUS4C12NTBG Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNTLUS4C12NTBG
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
NTLUS4C12NTBG, NTLUS4C12NTBG Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 137,6 KB)
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NTLUS4C12NTBG Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.6.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)3.3V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs9mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1172pF @ 15V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)630mW (Ta)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Lieferantengerätepaket6-UDFN (2x2)
Paket / Fall6-UDFN Exposed Pad

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

SPD03N50C3BTMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

560V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.2A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 135µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

350pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

38W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-TO252-3

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IRF7807VTR

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8.3A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SO

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

TPCF8A01(TE85L)

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSIII

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

49mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 200µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.5nC @ 5V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

590pF @ 10V

FET-Funktion

Schottky Diode (Isolated)

Verlustleistung (max.)

330mW (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

VS-8 (2.9x1.5)

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

NTP22N06

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

22A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

700pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

60W (Tj)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

TK2Q60D(Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

π-MOSVII

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.3Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

280pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

60W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PW-MOLD2

Paket / Fall

TO-251-3 Stub Leads, IPak

Kürzlich verkauft

1N4148WS-7-F

1N4148WS-7-F

Diodes Incorporated

DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD323

GP2Y1023AU0F

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SHARP/Socle Technology

MOD DUST SENSOR 5PIN QFN

2752051447

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CMC 5A 2LN 200 OHM SMD

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IC REG CHARGE PUMP INV 8SOIC

B82422A1103K100

B82422A1103K100

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FIXED IND 10UH 180MA 1.6 OHM SMD

MM3Z5V1ST1G

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ON Semiconductor

DIODE ZENER 5.1V 300MW SOD323

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IC OFFLINE SWIT PWM OCP HV 8DIP

HX2305NL

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Pulse Electronics Network

XFRMR MODUL 2PORT POE 1:1 10/100

CMS05(TE12L,Q,M)

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Toshiba Semiconductor and Storage

DIODE SCHOTTKY 30V 5A MFLAT

MCR03EZPJ000

MCR03EZPJ000

Rohm Semiconductor

RES SMD 0 OHM JUMPER 1/10W 0603

0451015.MRL

0451015.MRL

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FUSE BRD MNT 15A 65VAC/VDC 2SMD

BSS84-7-F

BSS84-7-F

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MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3