NTMFS4833NAT1G
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| Teilenummer | NTMFS4833NAT1G |
| PNEDA Teilenummer | NTMFS4833NAT1G |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 191A SO8FL |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.320 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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NTMFS4833NAT1G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NTMFS4833NAT1G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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NTMFS4833NAT1G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 16A (Ta), 191A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 150nC @ 11.5V |
| Vgs (Max) | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7500pF @ 12V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
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Hersteller NXP USA Inc. Serie TrenchMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 75V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 77A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.4mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.8V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 81nC @ 10V Vgs (Max) ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5251pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 158W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220AB Paket / Fall TO-220-3 |
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