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NTMFS4H02NT3G

NTMFS4H02NT3G

Nur als Referenz

Teilenummer NTMFS4H02NT3G
PNEDA Teilenummer NTMFS4H02NT3G
Beschreibung MOSFET N-CH 25V 37A SO8FL
Hersteller ON Semiconductor
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NTMFS4H02NT3G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNTMFS4H02NT3G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
NTMFS4H02NT3G, NTMFS4H02NT3G Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 88,7 KB)
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NTMFS4H02NT3G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)25V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.37A (Ta), 193A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs38.5nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds2651pF @ 12V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)3.13W (Ta), 83W (Tc)
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Lieferantengerätepaket5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paket / Fall8-PowerTDFN

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NTD6416AN-1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

17A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

81mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

620pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

71W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

I-PAK

Paket / Fall

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

ZVN1409ASTOB

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

90V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

250Ohm @ 5mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6.5pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

625mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

E-Line (TO-92 compatible)

Paket / Fall

E-Line-3

RSD221N06TL

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

22A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

26mOhm @ 22A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1500pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

850mW (Ta), 20W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

CPT3

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

CEDM8001 TR

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.66nC @ 4.5V

Vgs (Max)

10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

45pF @ 3V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

100mW (Ta)

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-883

Paket / Fall

SC-101, SOT-883

FDC633N

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.2A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

42mOhm @ 5.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

538pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.6W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SuperSOT™-6

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Kürzlich verkauft

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Diodes Incorporated

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC

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74FCT3807SOGI

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Renesas Electronics America Inc.

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