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NTMFS5C406NLT1G

NTMFS5C406NLT1G

Nur als Referenz

Teilenummer NTMFS5C406NLT1G
PNEDA Teilenummer NTMFS5C406NLT1G
Beschreibung MOSFET N-CH 40V 362A
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 3.672
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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NTMFS5C406NLT1G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNTMFS5C406NLT1G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
NTMFS5C406NLT1G, NTMFS5C406NLT1G Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 141,66 KB)
PDFNTMFS5C406NLT1G Datenblatt Cover
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NTMFS5C406NLT1G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.53A (Ta), 362A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs0.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 280µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs149nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds9400pF @ 20V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)3.9W (Ta), 179W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Lieferantengerätepaket5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paket / Fall8-PowerTDFN, 5 Leads

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

360A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.6mOhm @ 180A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

505nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

36000pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

830W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-227B

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

TK72A08N1,S4X

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSVIII-H

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

75V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

80A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.5mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

175nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

8200pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

45W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220SIS

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

APT33N90JCCU2

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

900V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

33A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

120mOhm @ 26A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 3mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

270nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6800pF @ 100V

FET-Funktion

Super Junction

Verlustleistung (max.)

290W (Tc)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-227

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

Hersteller

IXYS

Serie

Linear L2™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

40A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

170mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

320nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

10400pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

540W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-268

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

FQP17N40

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

QFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

400V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

16A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

270mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2300pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

170W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

Paket / Fall

TO-220-3

Kürzlich verkauft

AD780ARZ

AD780ARZ

Analog Devices

IC VREF SERIES/SHUNT PROG 8SOIC

PIC16F1786-I/SP

PIC16F1786-I/SP

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 14KB FLASH 28SDIP

ADM3202ARN

ADM3202ARN

Analog Devices

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16SOIC

MAX3078EESA+T

MAX3078EESA+T

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER HALF 1/1 8SOIC

DS1216C

DS1216C

Maxim Integrated

IC SMART/RAM 5V 64K/256K 28-DIP

BZX84C3V3LT1G

BZX84C3V3LT1G

ON Semiconductor

DIODE ZENER 3.3V 225MW SOT23-3

1N5335BRLG

1N5335BRLG

ON Semiconductor

DIODE ZENER 3.9V 5W AXIAL

BZV55C5V1

BZV55C5V1

Microsemi

DIODE ZENER 5.1V DO213AA

T520B227M006ATE070

T520B227M006ATE070

KEMET

CAP TANT POLY 220UF 6.3V 3528

MAX4168EUB+T

MAX4168EUB+T

Maxim Integrated

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 10UMAX

JS28F128J3F75A

JS28F128J3F75A

Micron Technology Inc.

IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP

ASDXRRX005NDAA5

ASDXRRX005NDAA5

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SENSOR PRESSURE DIFF 5"" H2O 8DIP