Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

NTTFS4932NTWG

NTTFS4932NTWG

Nur als Referenz

Teilenummer NTTFS4932NTWG
PNEDA Teilenummer NTTFS4932NTWG
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 11A 8WDFN
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 8.190
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jul 15 - Jul 20 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

NTTFS4932NTWG Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNTTFS4932NTWG
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
NTTFS4932NTWG, NTTFS4932NTWG Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 129,76 KB)
PDFNTTFS4932NTWG Datenblatt Cover
NTTFS4932NTWG Datenblatt Seite 2 NTTFS4932NTWG Datenblatt Seite 3 NTTFS4932NTWG Datenblatt Seite 4 NTTFS4932NTWG Datenblatt Seite 5 NTTFS4932NTWG Datenblatt Seite 6 NTTFS4932NTWG Datenblatt Seite 7

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • NTTFS4932NTWG Datasheet
  • where to find NTTFS4932NTWG
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor NTTFS4932NTWG
  • NTTFS4932NTWG PDF Datasheet
  • NTTFS4932NTWG Stock

  • NTTFS4932NTWG Pinout
  • Datasheet NTTFS4932NTWG
  • NTTFS4932NTWG Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • NTTFS4932NTWG Price
  • NTTFS4932NTWG Distributor

NTTFS4932NTWG Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.11A (Ta), 79A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs4mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs46.5nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds3111pF @ 15V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)850mW (Ta), 43W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Lieferantengerätepaket8-WDFN (3.3x3.3)
Paket / Fall8-PowerWDFN

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IRF6718L2TRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

61A (Ta), 270A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

0.7mOhm @ 61A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.35V @ 150µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

96nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6500pF @ 13V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

4.3W (Ta), 83W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DIRECTFET L6

Paket / Fall

DirectFET™ Isometric L6

TSM60NB1R4CP ROG

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 900mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.12nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

257.3pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

28.4W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-252, (D-Pak)

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IRFS350A

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

400V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

11.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

300mOhm @ 5.75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

131nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2780pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

92W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-3PF

Paket / Fall

TO-3P-3 Full Pack

IPD70N04S3-07

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

82A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6mOhm @ 70A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 50µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2700pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

79W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-TO252-3

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

BSC026N08NS5ATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

80V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

23A (Ta), 100A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.6mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.8V @ 115µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

92nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6800pF @ 40V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta), 156W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-TDSON-8-6

Paket / Fall

8-PowerTDFN

Kürzlich verkauft

HM0068ANL

HM0068ANL

Pulse Electronics Network

PULSE XFMR 1CT:1CT TX 1CT:1CT RX

ISL80103IRAJZ

ISL80103IRAJZ

Renesas Electronics America Inc.

IC REG LINEAR POS ADJ 3A 10DFN

LTM4630AEY#PBF

LTM4630AEY#PBF

Linear Technology/Analog Devices

DC DC CONVERTER 0.6-5.3V

CNY17-4X007T

CNY17-4X007T

Vishay Semiconductor Opto Division

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6SMD

LIS3MDLTR

LIS3MDLTR

STMicroelectronics

SENSOR MR I2C/SPI 12LGA

ADG849YKSZ-REEL7

ADG849YKSZ-REEL7

Analog Devices

IC SWITCH SPDT SC70-6

ABM3B-25.000MHZ-B2-T

ABM3B-25.000MHZ-B2-T

Abracon

CRYSTAL 25.0000MHZ 18PF SMD

LTM8025IV#PBF

LTM8025IV#PBF

Linear Technology/Analog Devices

DC DC CONVERTER 0.8-24V 3A

DTC114EETL

DTC114EETL

Rohm Semiconductor

TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

N25Q064A13ESE40E

N25Q064A13ESE40E

Micron Technology Inc.

IC FLASH 64M SPI 108MHZ 8SO

AUIPS2031R

AUIPS2031R

Infineon Technologies

IC SW IPS 1CH LOW SIDE DPAK

NTZD3154NT1G

NTZD3154NT1G

ON Semiconductor

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-563