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NVDD5894NLT4G

NVDD5894NLT4G

Nur als Referenz

Teilenummer NVDD5894NLT4G
PNEDA Teilenummer NVDD5894NLT4G
Beschreibung MOSFET 2N-CH 40V 14A DPAK
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 4.680
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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NVDD5894NLT4G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNVDD5894NLT4G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
NVDD5894NLT4G, NVDD5894NLT4G Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 119,7 KB)
PDFNVDD5894NLT4G Datenblatt Cover
NVDD5894NLT4G Datenblatt Seite 2 NVDD5894NLT4G Datenblatt Seite 3 NVDD5894NLT4G Datenblatt Seite 4 NVDD5894NLT4G Datenblatt Seite 5 NVDD5894NLT4G Datenblatt Seite 6

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NVDD5894NLT4G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.14A
Rds On (Max) @ Id, Vgs10mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs41nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds2103pF @ 25V
Leistung - max3.8W
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
LieferantengerätepaketD-Pak 5-Lead

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

260mOhm @ 1.3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.4nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

290pF @ 6V

Leistung - max

320mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-SMD, Flat Leads

Lieferantengerätepaket

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SI4288DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

580pF @ 20V

Leistung - max

3.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

IRF7319PBF

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

29mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

650pF @ 25V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

SIA513DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 3.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

360pF @ 10V

Leistung - max

6.5W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerPAK® SC-70-6 Dual

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SC-70-6 Dual

AUIRF7316Q

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

58mOhm @ 4.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

34nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

710pF @ 25V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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