Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

NVF3055-100T1G

NVF3055-100T1G

Nur als Referenz

Teilenummer NVF3055-100T1G
PNEDA Teilenummer NVF3055-100T1G
Beschreibung MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 23.316
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 7 - Mai 12 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

NVF3055-100T1G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNVF3055-100T1G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
NVF3055-100T1G, NVF3055-100T1G Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 125,14 KB)
PDFNTF3055-100T3G Datenblatt Cover
NTF3055-100T3G Datenblatt Seite 2 NTF3055-100T3G Datenblatt Seite 3 NTF3055-100T3G Datenblatt Seite 4 NTF3055-100T3G Datenblatt Seite 5 NTF3055-100T3G Datenblatt Seite 6

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • NVF3055-100T1G Datasheet
  • where to find NVF3055-100T1G
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor NVF3055-100T1G
  • NVF3055-100T1G PDF Datasheet
  • NVF3055-100T1G Stock

  • NVF3055-100T1G Pinout
  • Datasheet NVF3055-100T1G
  • NVF3055-100T1G Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • NVF3055-100T1G Price
  • NVF3055-100T1G Distributor

NVF3055-100T1G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieAutomotive, AEC-Q101
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs110mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds455pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)1.3W (Ta)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketSOT-223
Paket / FallTO-261-4, TO-261AA

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IRFP450LC

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

14A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

400mOhm @ 8.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

74nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2200pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

190W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

Paket / Fall

TO-247-3

IRL3714PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

36A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.7nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

670pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

47W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

75V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

45.8A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33.4nC @ 5V

Vgs (Max)

±15V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2600pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

62.5W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

LFPAK56, Power-SO8

Paket / Fall

SC-100, SOT-669

SPA11N80C3XKSA2

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

11A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

450mOhm @ 7.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 680µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

85nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1600pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

34W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-3

Paket / Fall

TO-220-3 Isolated Tab

IPD50R520CPBTMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Lieferantengerätepaket

-

Paket / Fall

-

Kürzlich verkauft

APT8024JLL

APT8024JLL

Microsemi

MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227

ICM7555ISA

ICM7555ISA

Maxim Integrated

IC OSC SGL TIMER 500KHZ 8-SOIC

STM32L476VGT6

STM32L476VGT6

STMicroelectronics

IC MCU 32BIT 1MB FLASH 100LQFP

MCP6042-I/SN

MCP6042-I/SN

Microchip Technology

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC

NB2305AI1HDR2G

NB2305AI1HDR2G

ON Semiconductor

IC BUFFER CLOCK 5OUT 3.3V 8-SOIC

3296W-1-503LF

3296W-1-503LF

Bourns

TRIMMER 50K OHM 0.5W PC PIN TOP

AD9515BCPZ

AD9515BCPZ

Analog Devices

IC CLK BUFFER 1:2 1.6GHZ 32LFCSP

ACPL-064L-500E

ACPL-064L-500E

Broadcom

OPTOISO 3.75KV 2CH PUSH PULL 8SO

1N4001G

1N4001G

SMC Diode Solutions

DIODE GEN PURP 50V 1A DO41

S558-5999-M8-F

S558-5999-M8-F

Bel Fuse

MODULE XFRMR LAN GIGABIT 24P SMD

CEP125NP-1R0MC-HD

CEP125NP-1R0MC-HD

Sumida

FIXED IND 1UH 16.5A 2.5 MOHM SMD

MIC5332-SSYMT-TR

MIC5332-SSYMT-TR

Microchip Technology

IC REG LINEAR 3.3V/3.3V 8TMLF