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NVMFD5873NLT1G

NVMFD5873NLT1G

Nur als Referenz

Teilenummer NVMFD5873NLT1G
PNEDA Teilenummer NVMFD5873NLT1G
Beschreibung MOSFET 2N-CH 60V 10A SO8FL
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 26.281
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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NVMFD5873NLT1G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNVMFD5873NLT1G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
NVMFD5873NLT1G, NVMFD5873NLT1G Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 76,99 KB)
PDFNVMFD5873NLWFT1G Datenblatt Cover
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NVMFD5873NLT1G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs13mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30.5nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1560pF @ 25V
Leistung - max3.1W
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-PowerTDFN
Lieferantengerätepaket8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

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FET-Typ

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FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

50A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12.6nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2060pF @ 12.5

Leistung - max

13W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerLDFN

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Hersteller

STMicroelectronics

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

78.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1500pF @ 25V

Leistung - max

72W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerVDFN

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

11A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.3W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

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Texas Instruments

Hersteller

Serie

NexFET™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate, 5V Drive

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

27mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.4nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

469pF @ 10V

Leistung - max

2.3W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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APTMC60TLM14CAG

Microsemi

Hersteller

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Serie

-

FET-Typ

4 N-Channel (Three Level Inverter)

FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V (1.2kV)

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

219A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12mOhm @ 150A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 30mA (Typ)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

483nC @ 20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

8400pF @ 1000V

Leistung - max

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