Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

NVMFD5877NLWFT1G

NVMFD5877NLWFT1G

Nur als Referenz

Teilenummer NVMFD5877NLWFT1G
PNEDA Teilenummer NVMFD5877NLWFT1G
Beschreibung MOSFET 2N-CH 60V 6A SO8FL
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 6.084
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 11 - Mai 16 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

NVMFD5877NLWFT1G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNVMFD5877NLWFT1G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
NVMFD5877NLWFT1G, NVMFD5877NLWFT1G Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 132,72 KB)
PDFNVMFD5877NLWFT3G Datenblatt Cover
NVMFD5877NLWFT3G Datenblatt Seite 2 NVMFD5877NLWFT3G Datenblatt Seite 3 NVMFD5877NLWFT3G Datenblatt Seite 4 NVMFD5877NLWFT3G Datenblatt Seite 5 NVMFD5877NLWFT3G Datenblatt Seite 6 NVMFD5877NLWFT3G Datenblatt Seite 7

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • NVMFD5877NLWFT1G Datasheet
  • where to find NVMFD5877NLWFT1G
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor NVMFD5877NLWFT1G
  • NVMFD5877NLWFT1G PDF Datasheet
  • NVMFD5877NLWFT1G Stock

  • NVMFD5877NLWFT1G Pinout
  • Datasheet NVMFD5877NLWFT1G
  • NVMFD5877NLWFT1G Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • NVMFD5877NLWFT1G Price
  • NVMFD5877NLWFT1G Distributor

NVMFD5877NLWFT1G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs39mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds540pF @ 25V
Leistung - max3.2W
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-PowerTDFN
Lieferantengerätepaket8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

SI7962DP-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17mOhm @ 11.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

70nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.4W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerPAK® SO-8 Dual

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SO-8 Dual

SQJ946EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

15A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

33mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

600pF @ 25V

Leistung - max

27W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerPAK® SO-8 Dual

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SO-8 Dual

SI7938DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

60A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.8mOhm @ 18.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

65nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2300pF @ 20V

Leistung - max

46W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerPAK® SO-8 Dual

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SO-8 Dual

SH8M5TB1

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A, 7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.2nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

520pF @ 10V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOP

DMC2400UV-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.03A, 700mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

480mOhm @ 200mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

37.1pF @ 10V

Leistung - max

450mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

SOT-563

Kürzlich verkauft

PBSS5250X,115

PBSS5250X,115

Nexperia

TRANS PNP 50V 2A SOT89

IRFR5505TRPBF

IRFR5505TRPBF

Infineon Technologies

MOSFET P-CH 55V 18A DPAK

LT1129IS8#PBF

LT1129IS8#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG LIN POS ADJ 700MA 8SOIC

AT89S52-24PU

AT89S52-24PU

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 8KB FLASH 40DIP

C3M0065090D

C3M0065090D

Cree/Wolfspeed

MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3

LT1963AEST-3.3#PBF

LT1963AEST-3.3#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG LINEAR 3.3V 1.5A SOT223-3

SSC54-E3/57T

SSC54-E3/57T

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 40V 5A DO214AB

DSC6001CI2A-016.0000

DSC6001CI2A-016.0000

Microchip Technology

MEMS OSC XO 16.0000MHZ CMOS SMD

AT90S1200-12SC

AT90S1200-12SC

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 1KB FLASH 20SOIC

3314G-1-103E

3314G-1-103E

Bourns

TRIMMER 10K OHM 0.25W GW TOP ADJ

4608X-102-103LF

4608X-102-103LF

Bourns

RES ARRAY 4 RES 10K OHM 8SIP

BR24T128-W

BR24T128-W

Rohm Semiconductor

IC EEPROM 128K I2C 8-DIP-T