NVMFD5C668NLT1G
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| Teilenummer | NVMFD5C668NLT1G |
| PNEDA Teilenummer | NVMFD5C668NLT1G |
| Beschreibung | T6 60V S08FL DUAL |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.320 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jul 16 - Jul 21 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NVMFD5C668NLT1G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NVMFD5C668NLT1G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
NVMFD5C668NLT1G, NVMFD5C668NLT1G Datenblatt
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NVMFD5C668NLT1G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 15.5A (Ta), 68A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 50µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21.3nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1440pF @ 25V |
| Leistung - max | 3W (Ta), 57.5W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
| Lieferantengerätepaket | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
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Hersteller ON Semiconductor Serie * FET-Typ - FET-Funktion - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 20µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2950pF @ 25V Leistung - max 45W Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerVDFN Lieferantengerätepaket PG-TDSON-8-4 |
Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 8A, 15.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1535pF @ 15V Leistung - max 1.98W, 4.16W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
Hersteller EPC Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 16A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 19mOhm @ 15A, 5V, 8mOhm @ 15A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 230pF @ 15V, 590pF @ 15V Leistung - max - Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall Die Lieferantengerätepaket Die |
Hersteller ON Semiconductor Serie PowerTrench® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 7.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1270pF @ 15V Leistung - max 1.6W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
