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NVMFS5A160PLZWFT1G

NVMFS5A160PLZWFT1G

Nur als Referenz

Teilenummer NVMFS5A160PLZWFT1G
PNEDA Teilenummer NVMFS5A160PLZWFT1G
Beschreibung -60V7.7MOHMSINGLE
Hersteller ON Semiconductor
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NVMFS5A160PLZWFT1G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNVMFS5A160PLZWFT1G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
NVMFS5A160PLZWFT1G, NVMFS5A160PLZWFT1G Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 283,28 KB)
PDFNVMFS5A160PLZT1G Datenblatt Cover
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NVMFS5A160PLZWFT1G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieAutomotive, AEC-Q101
FET-TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.15A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.6V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs160nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds7700pF @ 20V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)3.8W (Ta), 200W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Lieferantengerätepaket5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paket / Fall8-PowerTDFN, 5 Leads

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

RQJ0303PGDQA#H6

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.3A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

68mOhm @ 1.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Vgs (Max)

+10V, -20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

625pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

800mW (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

3-MPAK

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

STP23NM60ND

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

FDmesh™ II

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

19.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

180mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

69nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2100pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

150W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

2N7002E,215

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

385mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.69nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

830mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-236AB

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

IRL1104LPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

104A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8mOhm @ 62A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

68nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3445pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.4W (Ta), 167W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-262

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

IXTP2N80P

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

PolarHV™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5.5V @ 50µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.6nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

440pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

70W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

Kürzlich verkauft

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AT-32033-TR1G

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MBR140SFT1G

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DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123L

IRF5210SPBF

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ATF-54143-TR1G

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