NVS4409NT1G
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| Teilenummer | NVS4409NT1G |
| PNEDA Teilenummer | NVS4409NT1G |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 25V 0.7A SC70 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 27.822 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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NVS4409NT1G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NVS4409NT1G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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NVS4409NT1G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 700mA (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.7V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350mOhm @ 600mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.5nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 60pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 280mW (Tj) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SC-70-3 (SOT323) |
| Paket / Fall | SC-70, SOT-323 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 10.2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.1mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 11.5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 895pF @ 12V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.4W (Ta), 60W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220AB Paket / Fall TO-220-3 |
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