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NX3020NAKVYL

NX3020NAKVYL

Nur als Referenz

Teilenummer NX3020NAKVYL
PNEDA Teilenummer NX3020NAKVYL
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 0.2A SOT666
Hersteller Nexperia
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Auf Lager 7.074
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NX3020NAKVYL Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNX3020NAKVYL
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
NX3020NAKVYL, NX3020NAKVYL Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 702,9 KB)
PDFNX3020NAKVYL Datenblatt Cover
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NX3020NAKVYL Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.200mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.5Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.44nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds20pF @ 10V
Leistung - max260mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-563, SOT-666
LieferantengerätepaketSOT-666

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Hersteller

Serie

NexFET™

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Logic Level Gate, 5V Drive

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

40A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.5mOhm @ 20A, 5V, 0.8mOhm @ 20A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.85V @ 250µA, 1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.9nC @ 4.5V, 19.3nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1.04nF @ 12.5V, 2.51nF @ 12.5V

Leistung - max

12W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerTDFN

Lieferantengerätepaket

8-VSON-CLIP (5x6)

SISF00DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET® Gen IV

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

60A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

53nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2700pF @ 15V

Leistung - max

69.4W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerPAK® 1212-8SCD

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® 1212-8SCD

TPIC1502DW

Texas Instruments

Hersteller

Serie

-

FET-Typ

-

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

300mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.1nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

98pF @ 14V

Leistung - max

2.86W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

24-SOIC

DMG1026UV-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

410mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.8Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.45nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

32pF @ 25V

Leistung - max

580mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

SOT-563

FDS9926A

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

650pF @ 10V

Leistung - max

900mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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