NXPSC04650BJ
Nur als Referenz
| Teilenummer | NXPSC04650BJ |
| PNEDA Teilenummer | NXPSC04650BJ |
| Beschreibung | DIODE SCHOTTKY 650V 4A D2PAK |
| Hersteller | WeEn Semiconductors |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.208 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 15 - Jun 20 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NXPSC04650BJ Ressourcen
| Marke | WeEn Semiconductors |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NXPSC04650BJ |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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NXPSC04650BJ Technische Daten
| Hersteller | WeEn Semiconductors |
| Serie | - |
| Diodentyp | Silicon Carbide Schottky |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 650V |
| Current - Average Rectified (Io) | 4A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 4A |
| Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 170µA @ 650V |
| Kapazität @ Vr, F. | 130pF @ 1V, 1MHz |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Lieferantengerätepaket | D2PAK |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | 175°C (Max) |
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Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 300V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1V @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 50ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 300V Kapazität @ Vr, F. 15pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall DO-204AL, DO-41, Axial Lieferantengerätepaket DO-204AL (DO-41) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
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