NXPSC10650XQ
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| Teilenummer | NXPSC10650XQ |
| PNEDA Teilenummer | NXPSC10650XQ |
| Beschreibung | DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220F |
| Hersteller | WeEn Semiconductors |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.514 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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NXPSC10650XQ Ressourcen
| Marke | WeEn Semiconductors |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NXPSC10650XQ |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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NXPSC10650XQ Technische Daten
| Hersteller | WeEn Semiconductors |
| Serie | - |
| Diodentyp | Silicon Carbide Schottky |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 650V |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 10A |
| Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 250µA @ 650V |
| Kapazität @ Vr, F. | 300pF @ 1V, 1MHz |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab |
| Lieferantengerätepaket | TO-220F |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | 175°C (Max) |
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Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodentyp Schottky, Reverse Polarity Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 80V Current - Average Rectified (Io) 75A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 840mV @ 75A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 1mA @ 80V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall DO-203AB, DO-5, Stud Lieferantengerätepaket DO-5 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
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