NZT660A
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| Teilenummer | NZT660A |
| PNEDA Teilenummer | NZT660A |
| Beschreibung | TRANS PNP 60V 3A SOT223 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 61.926 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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NZT660A Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NZT660A |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt |
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NZT660A Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | PNP |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 3A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 60V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 300mA, 3A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 250 @ 500mA, 2V |
| Leistung - max | 2W |
| Frequenz - Übergang | 75MHz |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-261-4, TO-261AA |
| Lieferantengerätepaket | SOT-223-4 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 25V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1V @ 30mA, 300mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 35nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 300mA, 2V Leistung - max 625mW Frequenz - Übergang 150MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.) 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 3V @ 100mA, 10A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 10µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 3000 @ 3A, 4V Leistung - max 2W Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220FP |
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