PBLS2021D,115
Nur als Referenz
| Teilenummer | PBLS2021D,115 |
| PNEDA Teilenummer | PBLS2021D-115 |
| Beschreibung | TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSOP |
| Hersteller | Nexperia |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.788 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 31 - Jun 5 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
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PBLS2021D Ressourcen
| Marke | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | PBLS2021D,115 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt |
| Datenblatt |
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PBLS2021D Technische Daten
| Hersteller | Nexperia USA Inc. |
| Serie | - |
| Transistortyp | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100mA, 1.8A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 50V, 20V |
| Widerstand - Basis (R1) | 2.2kOhms |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | 2.2kOhms |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 30 @ 20mA, 5V / 200 @ 1A, 2V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA / 210mV @ 100mA, 1.8A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1µA, 100nA |
| Frequenz - Übergang | 130MHz |
| Leistung - max | 760mW |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-74, SOT-457 |
| Lieferantengerätepaket | 6-TSOP |
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Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie * Transistortyp - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Widerstand - Basis (R1) - Widerstand - Emitterbasis (R2) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic - Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Frequenz - Übergang - Leistung - max - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - Transistortyp 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA, 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V, 12V Widerstand - Basis (R1) 1kOhms, 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500nA Frequenz - Übergang 250MHz, 260MHz Leistung - max 120mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket EMT6 |
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - Transistortyp 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 47kOhms, 2.2kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 5V / 100 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA / 100mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1µA Frequenz - Übergang - Leistung - max 300mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket 6-TSSOP |
Hersteller Panasonic Electronic Components Serie - Transistortyp 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 47kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500nA Frequenz - Übergang - Leistung - max 150mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket SMini6-F3-B |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 4.7kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500nA Frequenz - Übergang - Leistung - max 339mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-963 Lieferantengerätepaket SOT-963 |
