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PH2520U,115

PH2520U,115

Nur als Referenz

Teilenummer PH2520U,115
PNEDA Teilenummer PH2520U-115
Beschreibung MOSFET N-CH 20V 100A LFPAK
Hersteller Nexperia
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Auf Lager 4.050
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Voraussichtliche Lieferung Mai 21 - Mai 26 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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PH2520U Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPH2520U,115
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
PH2520U, PH2520U Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 694,3 KB)
PDFPH2520U Datenblatt Cover
PH2520U Datenblatt Seite 2 PH2520U Datenblatt Seite 3 PH2520U Datenblatt Seite 4 PH2520U Datenblatt Seite 5 PH2520U Datenblatt Seite 6 PH2520U Datenblatt Seite 7 PH2520U Datenblatt Seite 8 PH2520U Datenblatt Seite 9 PH2520U Datenblatt Seite 10 PH2520U Datenblatt Seite 11

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PH2520U Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
SerieTrenchMOS™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.7mOhm @ 25A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id950mV @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs78nC @ 4.5V
Vgs (Max)-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds5850pF @ 10V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)62.5W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketLFPAK56, Power-SO8
Paket / FallSC-100, SOT-669

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STP8N120K5

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™ K5

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13.7nC @ 10V

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

505pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

130W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220

Paket / Fall

TO-220-3

IRFP044PBF

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

57A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

28mOhm @ 34A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

95nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2500pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

180W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

Paket / Fall

TO-247-3

IRF3205ZL

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

75A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.5mOhm @ 66A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3450pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

170W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-262

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

SI2321DS-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.9A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

57mOhm @ 3.3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

715pF @ 6V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

710mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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-

FET-Typ

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30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21mOhm @ 10A, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

37nC @ 4V

Vgs (Max)

±10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3000pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2W (Ta), 20W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

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Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

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