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PH3830L,115

PH3830L,115

Nur als Referenz

Teilenummer PH3830L,115
PNEDA Teilenummer PH3830L-115
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 98A LFPAK
Hersteller NXP
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PH3830L Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPH3830L,115
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
PH3830L, PH3830L Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 186,8 KB)
PDFPH3830L Datenblatt Cover
PH3830L Datenblatt Seite 2 PH3830L Datenblatt Seite 3 PH3830L Datenblatt Seite 4 PH3830L Datenblatt Seite 5 PH3830L Datenblatt Seite 6 PH3830L Datenblatt Seite 7 PH3830L Datenblatt Seite 8 PH3830L Datenblatt Seite 9 PH3830L Datenblatt Seite 10 PH3830L Datenblatt Seite 11

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PH3830L Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
SerieTrenchMOS™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.98A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs33nC @ 5V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds3190pF @ 10V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)62.5W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketLFPAK56, Power-SO8
Paket / FallSC-100, SOT-669

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NVMTS0D7N04CTXG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

51A (Ta), 430A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

0.67mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

140nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

9281pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.9W (Ta), 273W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-DFNW (8.3x8.4)

Paket / Fall

8-PowerTDFN

ATP212-S-TL-H

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

ATPAK

Paket / Fall

ATPAK (2 leads+tab)

IRFR220NTRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

600mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

300pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

43W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D-Pak

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

17A (Ta), 51A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18.6nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1000pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.5W (Ta), 32W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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Drain to Source Voltage (Vdss)

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Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

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Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

3V, 8V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.9mOhm @ 14A, 8V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.7V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 4.5V

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Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

950pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3W (Ta)

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