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PH9930L,115

PH9930L,115

Nur als Referenz

Teilenummer PH9930L,115
PNEDA Teilenummer PH9930L-115
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 63A LFPAK
Hersteller NXP
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PH9930L Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPH9930L,115
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
PH9930L, PH9930L Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 204,25 KB)
PDFPH9930L Datenblatt Cover
PH9930L Datenblatt Seite 2 PH9930L Datenblatt Seite 3 PH9930L Datenblatt Seite 4 PH9930L Datenblatt Seite 5 PH9930L Datenblatt Seite 6 PH9930L Datenblatt Seite 7 PH9930L Datenblatt Seite 8 PH9930L Datenblatt Seite 9 PH9930L Datenblatt Seite 10 PH9930L Datenblatt Seite 11

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PH9930L Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
SerieTrenchMOS™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.63A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs9.9mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.15V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13.3nC @ 4.5V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1565pF @ 12V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)62.5W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketLFPAK56, Power-SO8
Paket / FallSC-100, SOT-669

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IRL3714ZLPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

36A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.55V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.2nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

550pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

35W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-262

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

TK31N60W5,S1VF

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

DTMOSIV

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

30.8A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

99mOhm @ 15.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 1.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

105nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3000pF @ 300V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

230W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247

Paket / Fall

TO-247-3

DMG4468LFG

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.62A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15mOhm @ 11.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18.85nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

867pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

990mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

U-DFN3030-8

Paket / Fall

8-PowerUDFN

TPS1101DR

Texas Instruments

Hersteller

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

15V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.3A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.7V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11.25nC @ 10V

Vgs (Max)

+2V, -15V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

791mW (Ta)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

SI2351DS-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.8A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

115mOhm @ 2.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.1nC @ 5V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

250pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1W (Ta), 2.1W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3 (TO-236)

Paket / Fall

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