PHD77NQ03T,118
Nur als Referenz
| Teilenummer | PHD77NQ03T,118 |
| PNEDA Teilenummer | PHD77NQ03T-118 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 25V 75A DPAK |
| Hersteller | NXP |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.424 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 19 - Mai 24 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
PHD77NQ03T Ressourcen
| Marke | NXP |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | PHD77NQ03T,118 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- PHD77NQ03T,118 Datasheet
- where to find PHD77NQ03T,118
- NXP
- NXP PHD77NQ03T,118
- PHD77NQ03T,118 PDF Datasheet
- PHD77NQ03T,118 Stock
- PHD77NQ03T,118 Pinout
- Datasheet PHD77NQ03T,118
- PHD77NQ03T,118 Supplier
- NXP Distributor
- PHD77NQ03T,118 Price
- PHD77NQ03T,118 Distributor
PHD77NQ03T Technische Daten
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 75A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.2V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17.1nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 860pF @ 12V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 107W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | DPAK |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller Micro Commercial Co Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6A Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 205mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 760pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.25W Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SOT-223 Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA |
Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 24A (Ta), 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.6mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1700pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta), 48W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PG-TDSON-8-6 Paket / Fall 8-PowerTDFN |
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie TrenchMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 100A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 104nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8167pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 238W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket LFPAK56, Power-SO8 Paket / Fall SC-100, SOT-669 |
Hersteller ON Semiconductor Serie PowerTrench® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 9A (Ta), 28A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 990pF @ 20V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 30W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D-PAK (TO-252) Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Hersteller STMicroelectronics Serie MDmesh™ II FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 19A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 9.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70nC @ 10V Vgs (Max) ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2500pF @ 50V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 160W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-247-3 Paket / Fall TO-247-3 |
