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PHK12NQ03LT,518

PHK12NQ03LT,518

Nur als Referenz

Teilenummer PHK12NQ03LT,518
PNEDA Teilenummer PHK12NQ03LT-518
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 11.8A SOT96
Hersteller Nexperia
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Auf Lager 2.754
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PHK12NQ03LT Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPHK12NQ03LT,518
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
PHK12NQ03LT, PHK12NQ03LT Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 206,61 KB)
PDFPHK12NQ03LT Datenblatt Cover
PHK12NQ03LT Datenblatt Seite 2 PHK12NQ03LT Datenblatt Seite 3 PHK12NQ03LT Datenblatt Seite 4 PHK12NQ03LT Datenblatt Seite 5 PHK12NQ03LT Datenblatt Seite 6 PHK12NQ03LT Datenblatt Seite 7 PHK12NQ03LT Datenblatt Seite 8 PHK12NQ03LT Datenblatt Seite 9 PHK12NQ03LT Datenblatt Seite 10 PHK12NQ03LT Datenblatt Seite 11

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PHK12NQ03LT Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
SerieTrenchMOS™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs10.5mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17.6nC @ 5V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1335pF @ 16V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)2.5W (Ta)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Lieferantengerätepaket8-SO
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

*

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DFN2020MD-6

Paket / Fall

6-UDFN Exposed Pad

APT4012BVRG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS V®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

400V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

37A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

120mOhm @ 18.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

290nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5400pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

370W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

Paket / Fall

TO-247-3

IRFH7545TRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

StrongIRFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

85A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.2mOhm @ 51A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.7V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3890pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

83W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PQFN (5x6)

Paket / Fall

8-PowerTDFN

TN0620N3-G

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

250mA (Tj)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.6V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

150pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

N0603N-S23-AY

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.6mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

133nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7730pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.5W (Ta), 156W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-262

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Kürzlich verkauft

24LC64-I/SN

24LC64-I/SN

Microchip Technology

IC EEPROM 64K I2C 400KHZ 8SOIC

APHHS1005CGCK

APHHS1005CGCK

Kingbright

LED GREEN CLEAR CHIP SMD

EEE-FK1J220P

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Panasonic Electronic Components

CAP ALUM 22UF 20% 63V SMD

BLM18KG121TN1D

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Murata

FERRITE BEAD 120 OHM 0603 1LN

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Littelfuse

PTC RESET FUSE 33V 1.1A 2016

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Analog Devices

IC VREF SERIES 3.3V 8SOIC

ADE7754ARZRL

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Analog Devices

IC ENERGY METERING 3PHASE 24SOIC

1N4148WS-7-F

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DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD323

0154002.DRT

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Littelfuse

FUSE BOARD MNT 2A 125VAC/VDC SMD

L7805CD2T-TR

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STMicroelectronics

IC REG LINEAR 5V 1.5A D2PAK

S34ML08G101BHI000

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SkyHigh Memory Limited

IC FLASH 8G PARALLEL 63BGA

TZR1R080A001R00

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Murata

CAP TRIMMER 3-8PF 25V SMD