PHKD3NQ10T,518
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| Teilenummer | PHKD3NQ10T,518 |
| PNEDA Teilenummer | PHKD3NQ10T-518 |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC |
| Hersteller | Nexperia |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.572 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 30 - Jul 5 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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PHKD3NQ10T Ressourcen
| Marke | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | PHKD3NQ10T,518 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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PHKD3NQ10T Technische Daten
| Hersteller | Nexperia USA Inc. |
| Serie | TrenchMOS™ |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 3A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 1.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 633pF @ 20V |
| Leistung - max | 2W |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SO |
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