PMBFJ112,215
Nur als Referenz
| Teilenummer | PMBFJ112,215 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | PMBFJ112-215 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | JFET N-CH 40V 0.3W SOT23 | ||||||||||||||||||
| Hersteller | NXP | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 2 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 5 - Mai 10 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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PMBFJ112 Ressourcen
| Marke | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | PMBFJ112,215 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - JFETs |
| Datenblatt |
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PMBFJ112 Technische Daten
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) | 40V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 5mA @ 15V |
| Stromaufnahme (Id) - max | - |
| Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id | 5V @ 1µA |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6pF @ 10V (VGS) |
| Widerstand - RDS (Ein) | 50 Ohms |
| Leistung - max | 300mW |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-23 (TO-236AB) |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 40V Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 30mA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 16pF @ 20V Widerstand - RDS (Ein) 30 Ohms Leistung - max 360mW Betriebstemperatur -65°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket TO-18 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 25V Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 500mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 4.5V @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Widerstand - RDS (Ein) 3 Ohms Leistung - max 1W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket SOT-223-4 |
Hersteller Central Semiconductor Corp Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 50V Drain to Source Voltage (Vdss) 50V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 3mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 2V @ 100nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max 325mW Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket TO-18 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie * FET-Typ - Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) - Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) - Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500 FET-Typ P-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 30V Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 25mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 4V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 27pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein) 175 Ohms Leistung - max 500mW Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 3-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket UB |
