PMDPB85UPE,115
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| Teilenummer | PMDPB85UPE,115 |
| PNEDA Teilenummer | PMDPB85UPE-115 |
| Beschreibung | MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6HUSON |
| Hersteller | Nexperia |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.228 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 29 - Jun 3 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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PMDPB85UPE Ressourcen
| Marke | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | PMDPB85UPE,115 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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PMDPB85UPE Technische Daten
| Hersteller | Nexperia USA Inc. |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 2.9A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 103mOhm @ 1.3A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.1nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 514pF @ 10V |
| Leistung - max | 515mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-UDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 6-HUSON-EP (2x2) |
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Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 5.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 780pF @ 25V Leistung - max 2.4W Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
