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PMDT290UNEYL

PMDT290UNEYL

Nur als Referenz

Teilenummer PMDT290UNEYL
PNEDA Teilenummer PMDT290UNEYL
Beschreibung PMDT290UNE/SOT666/SOT6
Hersteller Nexperia
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Auf Lager 6.408
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 15 - Mai 20 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

PMDT290UNEYL Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPMDT290UNEYL
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
PMDT290UNEYL, PMDT290UNEYL Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 913,89 KB)
PDFPMDT290UNEYL Datenblatt Cover
PMDT290UNEYL Datenblatt Seite 2 PMDT290UNEYL Datenblatt Seite 3 PMDT290UNEYL Datenblatt Seite 4 PMDT290UNEYL Datenblatt Seite 5 PMDT290UNEYL Datenblatt Seite 6 PMDT290UNEYL Datenblatt Seite 7 PMDT290UNEYL Datenblatt Seite 8 PMDT290UNEYL Datenblatt Seite 9 PMDT290UNEYL Datenblatt Seite 10 PMDT290UNEYL Datenblatt Seite 11

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PMDT290UNEYL Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q101
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs380mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.68nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds83pF @ 10V
Leistung - max500mW (Ta)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-563, SOT-666
LieferantengerätepaketSOT-666

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Hersteller

Vishay Siliconix

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FET-Typ

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FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21mOhm @ 7.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Advanced Linear Devices Inc.

Serie

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FET-Typ

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FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

10.6V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500Ohm @ 4.2V

Vgs (th) (Max) @ Id

220mV @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2.5pF @ 5V

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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16-SOIC

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Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

80V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

36A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13.5mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

36nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1995pF @ 40V

Leistung - max

187W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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PowerPAK® 8 x 8 Dual

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.8A, 6.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11.6nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1149pF @ 10V

Leistung - max

1.8W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

APTM120TA57FPG

Microsemi

Hersteller

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Serie

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FET-Typ

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V (1.2kV)

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

17A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

684mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

187nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5155pF @ 25V

Leistung - max

390W

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