PMEG3010AESBZ
Nur als Referenz
| Teilenummer | PMEG3010AESBZ |
| PNEDA Teilenummer | PMEG3010AESBZ |
| Beschreibung | DIODE SCHOTTKY 30V 1A DSN1006-2 |
| Hersteller | Nexperia |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.034 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jul 21 - Jul 26 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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PMEG3010AESBZ Ressourcen
| Marke | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | PMEG3010AESBZ |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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PMEG3010AESBZ Technische Daten
| Hersteller | Nexperia USA Inc. |
| Serie | - |
| Diodentyp | Schottky |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 30V |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 480mV @ 1A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 3.5ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 1.25mA @ 30V |
| Kapazität @ Vr, F. | 32pF @ 10V, 1MHz |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 2-XDFN |
| Lieferantengerätepaket | DSN1006-2 |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | 150°C (Max) |
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Standard, Reverse Polarity Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1600V Current - Average Rectified (Io) 70A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.46V @ 220A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall DO-203AB, DO-5, Stud Lieferantengerätepaket DO-203AB (DO-5) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C |
