PMN28UNEX
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| Teilenummer | PMN28UNEX |
| PNEDA Teilenummer | PMN28UNEX |
| Beschreibung | PMN28UNE/SOT457/SC-74 |
| Hersteller | Nexperia |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.844 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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PMN28UNEX Ressourcen
| Marke | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | PMN28UNEX |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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PMN28UNEX Technische Daten
| Hersteller | Nexperia USA Inc. |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 5.5A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32mOhm @ 5.5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 490pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 570mW (Ta), 6.25W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 6-TSOP |
| Paket / Fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 35A (Ta), 213A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 62nC @ 4.5V Vgs (Max) ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5435pF @ 13V FET-Funktion Schottky Diode (Body) Verlustleistung (max.) 2.1W (Ta), 78W (Tc) Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket DIRECTFET™ MX Paket / Fall DirectFET™ Isometric MX |
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