PMPB16XN,115
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| Teilenummer | PMPB16XN,115 |
| PNEDA Teilenummer | PMPB16XN-115 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 7.2A 6DFN |
| Hersteller | NXP |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.866 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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PMPB16XN Ressourcen
| Marke | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | PMPB16XN,115 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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PMPB16XN Technische Daten
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 7.2A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21mOhm @ 7.2A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.8nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 775pF @ 15V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 6-DFN2020MD (2x2) |
| Paket / Fall | 6-UDFN Exposed Pad |
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Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 8.8A (Ta), 19A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 8.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.7nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.1W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PG-TSDSON-6 Paket / Fall 6-PowerVDFN |
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Hersteller Infineon Technologies Serie FETKY™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2.7A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 1.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 210pF @ 25V FET-Funktion Schottky Diode (Isolated) Verlustleistung (max.) 1.25W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket Micro8™ Paket / Fall 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
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