Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

PMV65UN,215

PMV65UN,215

Nur als Referenz

Teilenummer PMV65UN,215
PNEDA Teilenummer PMV65UN-215
Beschreibung MOSFET N-CH 20V 2A SOT-23
Hersteller NXP
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 7.272
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 1 - Mai 6 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

PMV65UN Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPMV65UN,215
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
PMV65UN, PMV65UN Datenblatt (Total Pages: 15, Größe: 328,77 KB)
PDFPMV65UN Datenblatt Cover
PMV65UN Datenblatt Seite 2 PMV65UN Datenblatt Seite 3 PMV65UN Datenblatt Seite 4 PMV65UN Datenblatt Seite 5 PMV65UN Datenblatt Seite 6 PMV65UN Datenblatt Seite 7 PMV65UN Datenblatt Seite 8 PMV65UN Datenblatt Seite 9 PMV65UN Datenblatt Seite 10 PMV65UN Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • PMV65UN,215 Datasheet
  • where to find PMV65UN,215
  • NXP

  • NXP PMV65UN,215
  • PMV65UN,215 PDF Datasheet
  • PMV65UN,215 Stock

  • PMV65UN,215 Pinout
  • Datasheet PMV65UN,215
  • PMV65UN,215 Supplier

  • NXP Distributor
  • PMV65UN,215 Price
  • PMV65UN,215 Distributor

PMV65UN Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.2.2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs76mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.9nC @ 4.5V
Vgs (Max)±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds183pF @ 10V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)310mW (Ta), 2.17W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketTO-236AB (SOT23)
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

NTTS2P02R2G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.4A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 2.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

550pF @ 16V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

780mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

Micro8™

Paket / Fall

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

FDR6580

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

11.2A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9mOhm @ 11.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

48nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3829pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.8W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SuperSOT™-8

Paket / Fall

8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)

IRLR024NTRLPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

17A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

65mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 5V

Vgs (Max)

±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

480pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

45W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D-Pak

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

FDA24N40F

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

UniFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

400V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

23A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

190mOhm @ 11.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3030pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

235W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-3PN

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

SI7810DN-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.4A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

62mOhm @ 5.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.5W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® 1212-8

Paket / Fall

PowerPAK® 1212-8

Kürzlich verkauft

T520V337M2R5ATE009

T520V337M2R5ATE009

KEMET

CAP TANT POLY 330UF 2.5V 2917

TAJB107M006RNJ

TAJB107M006RNJ

CAP TANT 100UF 20% 6.3V 1411

ADM3202ARUZ-REEL

ADM3202ARUZ-REEL

Analog Devices

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16TSSOP

CTX01-15473

CTX01-15473

Eaton - Electronics Division

FIXED INDUCTOR

MM3Z5V1ST1G

MM3Z5V1ST1G

ON Semiconductor

DIODE ZENER 5.1V 300MW SOD323

FDC6325L

FDC6325L

ON Semiconductor

IC LOAD SWITCH INT 8VIN SSOT-6

NTF2955T1G

NTF2955T1G

ON Semiconductor

MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT-223

MAX202EEUE

MAX202EEUE

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16TSSOP

MCP6566UT-E/OT

MCP6566UT-E/OT

Microchip Technology

IC COMPARATOR O-D 1.8V SOT23-5

HCPL-0631-500E

HCPL-0631-500E

Broadcom

OPTOISO 3.75KV 2CH OPEN COLL 8SO

FT245RL-REEL

FT245RL-REEL

FTDI, Future Technology Devices International Ltd

IC USB TO PARALLEL FIFO 28-SSOP

T495D337K006ATE040

T495D337K006ATE040

KEMET

CAP TANT 330UF 10% 6.3V 2917