PMWD20XN,118
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| Teilenummer | PMWD20XN,118 |
| PNEDA Teilenummer | PMWD20XN-118 |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 20V 10.4A 8TSSOP |
| Hersteller | NXP |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.282 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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PMWD20XN Ressourcen
| Marke | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | PMWD20XN,118 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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PMWD20XN Technische Daten
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Serie | TrenchMOS™ |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 10.4A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 4.2A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.6nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 740pF @ 16V |
| Leistung - max | 4.2W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-TSSOP |
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Hersteller Serie NexFET™ FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 15A Rds On (Max) @ Id, Vgs 16.3mOhm @ 8A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id 1.9V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 564pF @ 15V Leistung - max 4W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 5-LGA Lieferantengerätepaket 5-PTAB (3x2.5) |
