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PMZ760SN,315

PMZ760SN,315

Nur als Referenz

Teilenummer PMZ760SN,315
PNEDA Teilenummer PMZ760SN-315
Beschreibung MOSFET N-CH 60V 1.22A SOT883
Hersteller Nexperia
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PMZ760SN Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPMZ760SN,315
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
PMZ760SN, PMZ760SN Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 373,81 KB)
PDFPMZ760SN Datenblatt Cover
PMZ760SN Datenblatt Seite 2 PMZ760SN Datenblatt Seite 3 PMZ760SN Datenblatt Seite 4 PMZ760SN Datenblatt Seite 5 PMZ760SN Datenblatt Seite 6 PMZ760SN Datenblatt Seite 7 PMZ760SN Datenblatt Seite 8 PMZ760SN Datenblatt Seite 9 PMZ760SN Datenblatt Seite 10 PMZ760SN Datenblatt Seite 11

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PMZ760SN Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
SerieTrenchMOS™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.1.22A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs900mOhm @ 300mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.05nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds23pF @ 30V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)2.5W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketDFN1006-3
Paket / FallSC-101, SOT-883

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BSP149L6327HTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

SIPMOS®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

660mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

0V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.8Ohm @ 660mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 400µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

430pF @ 25V

FET-Funktion

Depletion Mode

Verlustleistung (max.)

1.8W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-SOT223-4

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

NTF6P02T3G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1200pF @ 16V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

8.3W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-223

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

ISP25DP06LMSATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.9A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

250mOhm @ 1.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 270µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13.9nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

420pF @ 30V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.8W (Ta), 5W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-SOT223

Paket / Fall

TO-261-3

STD70N02L-1

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

STripFET™ III

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

60A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1400pF @ 16V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

60W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

I-PAK

Paket / Fall

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

PHP23NQ11T,127

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

110V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

23A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

70mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

830pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

100W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

Kürzlich verkauft

ISL4221EIRZ-T

ISL4221EIRZ-T

Renesas Electronics America Inc.

IC TRANSCEIVER FULL 1/1 16QFN

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CAP TANT 100UF 20% 10V 1411

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Vishay Semiconductor Diodes Division

TVS DIODE 36V 58.1V DO214AB

ABM8-166-114.285MHZ-T2

ABM8-166-114.285MHZ-T2

Abracon

CRYSTAL 114.2850MHZ 18PF SMD

IHLP1212BZER1R5M11

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Vishay Dale

FIXED IND 1.5UH 3.8A 32 MOHM SMD

LM1458M

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ON Semiconductor

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC

TL072ID

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STMicroelectronics

IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SO

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TRIMMER 100 OHM 0.25W J LEAD TOP

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FIXED IND 1.5UH 410MA 600 MOHM

RB751S40

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ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 40V 30MA SOD523F

MT29F2G16ABBEAHC-AIT:E TR

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Micron Technology Inc.

IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA

BAT54C

BAT54C

ON Semiconductor

DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT23-3