PSMN014-60LS,115
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| Teilenummer | PSMN014-60LS,115 |
| PNEDA Teilenummer | PSMN014-60LS-115 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 60V QFN3333 |
| Hersteller | NXP |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.282 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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PSMN014-60LS Ressourcen
| Marke | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | PSMN014-60LS,115 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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PSMN014-60LS Technische Daten
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 40A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19.6nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1264pF @ 30V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 65W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-DFN3333 (3.3x3.3) |
| Paket / Fall | 8-VDFN Exposed Pad |
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Hersteller Renesas Electronics America Serie - FET-Typ - Technologie - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Lieferantengerätepaket - Paket / Fall - |
