PSMN2R6-60PSQ
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| Teilenummer | PSMN2R6-60PSQ |
| PNEDA Teilenummer | PSMN2R6-60PSQ |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 60V 150A TO-220 |
| Hersteller | Nexperia |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 36.996 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 24 - Mai 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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PSMN2R6-60PSQ Ressourcen
| Marke | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | PSMN2R6-60PSQ |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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PSMN2R6-60PSQ Technische Daten
| Hersteller | Nexperia USA Inc. |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 150A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 140nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7629pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 326W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
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Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.4Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 325pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 56.8W (Tc) Betriebstemperatur -50°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-251-3 Paket / Fall TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie Automotive, AEC-Q101 FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 77nC @ 10V Vgs (Max) ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5000pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.2W (Ta), 136W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PowerDI5060-8 Paket / Fall 8-PowerTDFN |
Hersteller IXYS Serie PolarHT™ HiPerFET™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 300V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 52A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 66mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3490pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 400W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket PLUS220 Paket / Fall TO-220-3, Short Tab |
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