R1RW0408DGE-2LR#B0
Nur als Referenz
| Teilenummer | R1RW0408DGE-2LR#B0 |
| PNEDA Teilenummer | R1RW0408DGE-2LR-B0 |
| Beschreibung | IC SRAM 4M FAST 36-SOJ |
| Hersteller | Renesas Electronics America |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.880 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 21 - Mai 26 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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R1RW0408DGE-2LR#B0 Ressourcen
| Marke | Renesas Electronics America |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | R1RW0408DGE-2LR#B0 |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
| Datenblatt |
R1RW0408DGE-2LR#B0, R1RW0408DGE-2LR#B0 Datenblatt
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R1RW0408DGE-2LR#B0 Technische Daten
| Hersteller | Renesas Electronics America |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | SRAM |
| Technologie | SRAM |
| Speichergröße | 4Mb (512K x 8) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 12ns |
| Zugriffszeit | 12ns |
| Spannung - Versorgung | 3V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 36-SOJ |
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