R5011010XXWA
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| Teilenummer | R5011010XXWA |
| PNEDA Teilenummer | R5011010XXWA |
| Beschreibung | RECTIFIER STUD MOUNT REVERSE DO- |
| Hersteller | Powerex Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.472 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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R5011010XXWA Ressourcen
| Marke | Powerex Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | R5011010XXWA |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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R5011010XXWA Technische Daten
| Hersteller | Powerex Inc. |
| Serie | - |
| Diodentyp | Standard, Reverse Polarity |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1000V |
| Current - Average Rectified (Io) | 100A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | - |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 7µs |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 30mA @ 1000V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Stud Mount |
| Paket / Fall | DO-205AA, DO-8, Stud |
| Lieferantengerätepaket | DO-205AA (DO-8) |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 200°C |
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 800V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 1A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 600ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 800V Kapazität @ Vr, F. 10pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall MPG06, Axial Lieferantengerätepaket MPG06 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller WeEn Semiconductors Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Current - Average Rectified (Io) 5A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.9V @ 5A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 35ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 50µA @ 600V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Lieferantengerätepaket TO-220FP Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 150°C (Max) |
Hersteller Microsemi Corporation Serie * Diodentyp - Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) - Current - Average Rectified (Io) - Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit - Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 35V Current - Average Rectified (Io) 30A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 680mV @ 30A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 1.5mA @ 35V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall DO-203AA, DO-4, Stud Lieferantengerätepaket DO-4 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie eSMP® Diodentyp Avalanche Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 800V Current - Average Rectified (Io) 1.4A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 2.5V @ 3A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 75ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 800V Kapazität @ Vr, F. 42pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-277, 3-PowerDFN Lieferantengerätepaket TO-277A (SMPC) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
