RCX511N25
Nur als Referenz
| Teilenummer | RCX511N25 |
| PNEDA Teilenummer | RCX511N25 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 250V 51A TO220 |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 9.468 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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RCX511N25 Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | RCX511N25 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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RCX511N25 Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 51A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 25.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7000pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 2.23W (Ta), 40W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220FM |
| Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack |
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Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie SDMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 11A (Ta), 65A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 7V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.6mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 53nC @ 10V Vgs (Max) ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3100pF @ 40V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta), 83W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-DFN (5x6) Paket / Fall 8-PowerSMD, Flat Leads |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 15A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 450pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220-3 Paket / Fall TO-220-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 20A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 48mOhm @ 10A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 5V Vgs (Max) ±15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 990pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.36W (Ta), 60W (Tj) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket DPAK Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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