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RDX045N60FU6

RDX045N60FU6

Nur als Referenz

Teilenummer RDX045N60FU6
PNEDA Teilenummer RDX045N60FU6
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220FM
Hersteller Rohm Semiconductor
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RDX045N60FU6 Ressourcen

Marke Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerRDX045N60FU6
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
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RDX045N60FU6 Technische Daten

HerstellerRohm Semiconductor
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.4.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.1Ohm @ 2.25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds500pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)35W (Tc)
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-220FM
Paket / FallTO-220-3 Full Pack

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolSiC™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

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Drain to Source Voltage (Vdss)

1.2kV

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

13A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

15V, 18V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

286mOhm @ 4A, 18V

Vgs (th) (Max) @ Id

5.7V @ 1.6mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.5nC @ 18V

Vgs (Max)

+23V, -7V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

289pF @ 800V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

75W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3-41

Paket / Fall

TO-247-3

IXTQ44N30T

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

300V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

44A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-3P

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

IRLMS2002TRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.5A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 5V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1310pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

Micro6™(SOT23-6)

Paket / Fall

SOT-23-6

DMN10H170SFG-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.9A (Ta), 8.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

122mOhm @ 3.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14.9nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

870.7pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

940mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerDI3333-8

Paket / Fall

8-PowerVDFN

BSC050N04LSGATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

18A (Ta), 85A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 27µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

47nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3700pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta), 57W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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