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RF071L4STE25

RF071L4STE25

Nur als Referenz

Teilenummer RF071L4STE25
PNEDA Teilenummer RF071L4STE25
Beschreibung DIODE GEN PURP 400V 1A PMDS
Hersteller Rohm Semiconductor
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Auf Lager 2.412
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 3 - Nov 8 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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RF071L4STE25 Ressourcen

Marke Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerRF071L4STE25
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single

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RF071L4STE25 Technische Daten

HerstellerRohm Semiconductor
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)400V
Current - Average Rectified (Io)1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.25V @ 700mA
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)25ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr10µA @ 400V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypSurface Mount
Paket / FallDO-214AC, SMA
LieferantengerätepaketPMDS
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle150°C (Max)

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

R-1, Axial

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

V2PL45HM3/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101, eSMP®

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

45V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

560mV @ 2A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

350µA @ 45V

Kapazität @ Vr, F.

300pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-219AD

Lieferantengerätepaket

MicroSMP (DO-219AD)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

ESH1PDHE3/84A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

eSMP®

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

900mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

25pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-220AA

Lieferantengerätepaket

DO-220AA (SMP)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

S1PM-M3/85A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

eSMP®

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1000V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

1.8µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 1000V

Kapazität @ Vr, F.

6pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-220AA

Lieferantengerätepaket

DO-220AA (SMP)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

NS8KT-E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

800V

Current - Average Rectified (Io)

8A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 8A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 800V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2

Lieferantengerätepaket

TO-220AC

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

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