RGT30NS65DGC9
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| Teilenummer | RGT30NS65DGC9 |
| PNEDA Teilenummer | RGT30NS65DGC9 |
| Beschreibung | IGBT |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 14.280 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 9 - Jun 14 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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RGT30NS65DGC9 Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | RGT30NS65DGC9 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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RGT30NS65DGC9 Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 30A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 45A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 15A |
| Leistung - max | 133W |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 32nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 18ns/64ns |
| Testbedingung | 400V, 15A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 55ns |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Lieferantengerätepaket | TO-262 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 6A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 25A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 3A Leistung - max 22W Schaltenergie 57µJ (on), 25µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 15nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 15ns/60ns Testbedingung 300V, 3A, 80Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220F |
