RGTVX6TS65DGC11
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| Teilenummer | RGTVX6TS65DGC11 |
| PNEDA Teilenummer | RGTVX6TS65DGC11 |
| Beschreibung | IGBT |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.808 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 15 - Mai 20 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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RGTVX6TS65DGC11 Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | RGTVX6TS65DGC11 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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RGTVX6TS65DGC11 Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 144A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 320A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 80A |
| Leistung - max | 404W |
| Schaltenergie | 2.65mJ (on), 1.8mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 171nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 45ns/201ns |
| Testbedingung | 400V, 80A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 109ns |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247N |
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Hersteller STMicroelectronics Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 110A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 130A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.45V @ 15V, 30A Leistung - max 284W Schaltenergie 250µJ (on), 4.2mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 200nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 50ns/220ns Testbedingung 400V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 67ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
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