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RGTVX6TS65GC11

RGTVX6TS65GC11

Nur als Referenz

Teilenummer RGTVX6TS65GC11
PNEDA Teilenummer RGTVX6TS65GC11
Beschreibung 650V 80A FIELD STOP TRENCH IGBT
Hersteller Rohm Semiconductor
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Auf Lager 8.088
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RGTVX6TS65GC11 Ressourcen

Marke Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerRGTVX6TS65GC11
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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RGTVX6TS65GC11 Technische Daten

HerstellerRohm Semiconductor
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)144A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)320A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.9V @ 15V, 80A
Leistung - max404W
Schaltenergie2.65mJ (on), 1.8mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge171nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.45ns/201ns
Testbedingung400V, 80A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247N

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

6A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

12A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 2A

Leistung - max

30W

Schaltenergie

64µJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

14nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/259ns

Testbedingung

400V, 2A, 118Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

130ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

PG-TO263-3

FGY75N60SMD

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

225A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 75A

Leistung - max

750W

Schaltenergie

2.3mJ (on), 770µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

248nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

24ns/136ns

Testbedingung

400V, 75A, 3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

55ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3 Variant

Lieferantengerätepaket

PowerTO-247-3

IRGBC30F

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

31A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 17A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

IRGP6630D-EPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

47A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

54A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 18A

Leistung - max

192W

Schaltenergie

75µJ (on), 350µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

30nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

40ns/95ns

Testbedingung

400V, 18A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

70ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

IRG4RC10UTRL

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

8.5A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

34A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 5A

Leistung - max

38W

Schaltenergie

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Gate Charge

15nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

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Surface Mount

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